半导体过滤解决厂家-新乡伊卡过滤-晶圆厂过滤器
半导体生产核心痛点：微颗粒、金属离子、有机杂质、气泡都会造成晶圆短路、良率暴跌。
一、哪些介质需要过滤
1. 超纯水 UPW（重中之重）
晶圆清洗、光刻后冲洗、湿法蚀刻
过滤精度：0.05μm / 0.03μm 超滤 + 终端 0.02μm PTFE 滤芯
目标：控制颗粒、TOC、金属离子2. 化学品（光刻胶、显影液、蚀刻液、剥离液、双氧水、酸 / 碱）
光刻胶：终端过滤 0.1μm / 0.05μm PTFE，防止微小胶团造成图形缺陷
湿化学药液：0.1～0.2μm 滤芯；超高纯化学品用到 纳滤、离子交换过滤CDF（化学配送系统）全程在线过滤
3. 工艺气体
氮气 N₂、氩气 Ar、氧气 O₂、硅烷、氨气等
过滤器：气体高纯过滤器 0.003μm 级（金属膜 / PTFE）
去除：固体微粒、油气、杂质颗粒物
4. 压缩干燥空气 CD.A
设备气动阀门、机械手、吹扫晶圆
多级：前置油水分离 → 精密滤芯 → 终端 0.01μm 超净过滤器
5. 真空泵尾气、排风、洁净室新风
洁净室 MAU 新风：初效→中效→HEPA（0.3μm）→ULPA（0.12μm）
二、按工序简单划分
光刻工序（对杂质最敏感）
光刻胶输送、显影液、吹扫氮气，全部配备终端过滤器，滤芯定期更换。
微小颗粒直接导致断线、孔洞、良率报废。
薄膜沉积（PVD/CVD/ 氧化）
工艺气体管路过滤器，防止气源、管道内铁锈、微粒落在晶圆表面。
湿法清洗 / 蚀刻
化学品循环管路连续过滤，很多设置双联过滤器（不停机在线切换）。
研磨 CMP
研磨液（Slurry）强制过滤！磨料团聚颗粒会刮伤晶圆表面，常用 0.5～1μm 滤芯。
三、和普通行业过滤的核心区别
精度极高：常规工业大多 1μm、5μm；半导体普遍 0.02～0.1μm，气体达到纳米级；
避免析出金属离子、有机物污染晶圆；
无纤维脱落
